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德國FITOK原子層沉積隔膜閥ALD系列的介紹

更新時間:2024-08-22      瀏覽次數:268

德國FITOK原子層沉積隔膜閥ALD系列的介紹

半導體應用-FITOK ALD 系列原子層沉積隔膜閥

圖一.jpg

簡介

原子層沉積 (Atomic Layer Deposition) 是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。隨著芯片節點尺寸的不斷縮小,傳統沉積技術已達到其極限,在納米級上沉積超薄層需要原子層沉積 (ALD) 技術,該技術可使材料一次沉積一個原子層。FITOK ALD 系列原子層沉積隔膜閥可應用于原子層沉積工藝,在半導體芯片制造的沉積工藝中輸送精確劑量的氣體,以實現先進技術所需的均勻氣體沉積。

特征

1.高速執行下超高循環壽命

2.響應速度快,可在低于 5 ms 內完成閥門開啟和關閉

3.耐熱型延長熱應用場合的執行器壽命

4.全封閉閥座設計,具有優的越的抗膨脹和防污染能力

5.Elgiloy 合金隔膜提高強度和耐腐蝕,使用壽命長

6.高純級 PFA 閥座,廣泛的化學兼容性

7.極少產生顆粒和死區,易吹掃

8.提供帶電感式傳感器、電磁閥組件及加熱棒和熱電偶安裝孔的閥門

技術參數

圖二.jpg

應用

適用于以下半導體領域的原子層沉積 (ALD)工藝

1.晶體管柵極介電層(high-k)和金屬柵電極(metal gate)

2.微電子機械系統(MEMS)

3.光電子材料和器件

4.集成電路互連線擴散阻擋層

5.平板顯示器(有機光發射二極管材料,OLED)

6.光學元件

7.太陽能電池

8.各類薄膜(<100 nm)






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