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日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計

  • 產(chǎn)品型號:CS-620F
  • 更新時間:2024-08-28

簡要描述:日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計 CS-620F
在 3D NAND 制程中,沉積幾十層二氧化硅和氮化硅,并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中,通過控制化學(xué)藥液的濃度和溫度,可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號很難測量高溫化學(xué)藥液,但 CS-620F 能夠在高達(dá) 170℃ 的高溫下進(jìn)行測量。使用吸收光譜進(jìn)行連續(xù)測量,與其他方法相比,需要的維護(hù)和耗材更少。

產(chǎn)品詳情
品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,能源,電子,綜合

日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計 CS-620F

在 3D NAND 制程中,沉積幾十層二氧化硅和氮化硅,并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中,通過控制化學(xué)藥液的濃度和溫度,可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號很難測量高溫化學(xué)藥液,但 CS-620F 能夠在高達(dá) 170℃ 的高溫下進(jìn)行測量。使用吸收光譜進(jìn)行連續(xù)測量,與其他方法相比,需要的維護(hù)和耗材更少。

主要特征:

可測量高達(dá) 92% 的高濃度磷酸

無需冷卻機(jī)制和冷卻時間。

無需冷卻循環(huán)管路中的高溫磷酸(140 至 170℃),可直接測量。

樣品使用PFA接觸,以降低污染風(fēng)險。

采用每半年一次的背景校正周期,有助于顯著減少機(jī)臺停機(jī)時間。

每3秒更新一次測量數(shù)據(jù),有助于更快速使用濃度反饋進(jìn)行控制

日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計 CS-620F

在 3D NAND 制程中,沉積幾十層二氧化硅和氮化硅,并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中,通過控制化學(xué)藥液的濃度和溫度,可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號很難測量高溫化學(xué)藥液,但 CS-620F 能夠在高達(dá) 170℃ 的高溫下進(jìn)行測量。使用吸收光譜進(jìn)行連續(xù)測量,與其他方法相比,需要的維護(hù)和耗材更少。

主要特征:

可測量高達(dá) 92% 的高濃度磷酸

無需冷卻機(jī)制和冷卻時間。

無需冷卻循環(huán)管路中的高溫磷酸(140 至 170℃),可直接測量。

樣品使用PFA接觸,以降低污染風(fēng)險。

采用每半年一次的背景校正周期,有助于顯著減少機(jī)臺停機(jī)時間。

每3秒更新一次測量數(shù)據(jù),有助于更快速使用濃度反饋進(jìn)行控制

日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計


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